Биполярный транзистор BUV50 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BUV50
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 150 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 250 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 125 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 20 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10
Корпус транзистора: TO3
BUV50 Datasheet (PDF)
buv50.pdf
BUV50HIGH POWER NPN SILICON TRANSISTOR SGS-THOMSON PREFERRED SALESTYPE NPN TRANSISTOR HIGH CURRENT CAPABILITY FAST SWITCHING SPEED FULLY CHARACTERISED AT 125oCAPPLICATION SWITCHING REGULATORS1 MOTOR CONTROL2DESCRIPTIONThe BUV50 is a Multiepitaxial planar NPNTO-3transistor in TO-3 metal case.Its intented for use in high frequency andefficiency converters such
buv50.pdf
isc Silicon NPN Power Transistor BUV50DESCRIPTIONHigh Current CapabilityLow Collector Saturation Voltage-: V = 0.8V (Max.) @I = 10ACE(sat) CHigh Switching SpeedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for high current, high speed, high powerapplications.Absolute maximum ratings(Ta=25)SYMBOL PARAM
Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , D209L , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050