BUV50. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BUV50

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 150 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 250 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 125 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 20 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для BUV50

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BUV50 даташит

 ..1. Size:50K  st
 buv50.pdf pdf_icon

BUV50

BUV50 HIGH POWER NPN SILICON TRANSISTOR SGS-THOMSON PREFERRED SALESTYPE NPN TRANSISTOR HIGH CURRENT CAPABILITY FAST SWITCHING SPEED FULLY CHARACTERISED AT 125oC APPLICATION SWITCHING REGULATORS 1 MOTOR CONTROL 2 DESCRIPTION The BUV50 is a Multiepitaxial planar NPN TO-3 transistor in TO-3 metal case. It s intented for use in high frequency and efficiency converters such

 ..2. Size:208K  inchange semiconductor
 buv50.pdf pdf_icon

BUV50

isc Silicon NPN Power Transistor BUV50 DESCRIPTION High Current Capability Low Collector Saturation Voltage- V = 0.8V (Max.) @I = 10A CE(sat) C High Switching Speed Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for high current, high speed, high power applications. Absolute maximum ratings(Ta=25 ) SYMBOL PARAM

Другие транзисторы: BUV48AFI, BUV48B, BUV48C, BUV48CFI, BUV48CI, BUV48FI, BUV48I, BUV48T, 2N2222, BUV51, BUV52, BUV52A, BUV54, BUV54A, BUV56, BUV56A, BUV60