BUV51 Todos los transistores

 

BUV51 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BUV51
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 150 W
   Tensión colector-base (Vcb): 300 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 200 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 10 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Ganancia de corriente contínua (hfe): 10
   Paquete / Cubierta: TO3
     - Selección de transistores por parámetros

 

BUV51 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:205K  inchange semiconductor
 buv51.pdf pdf_icon

BUV51

isc Silicon NPN Power Transistor BUV51DESCRIPTIONHigh Current CapabilityLow Collector Saturation Voltage-: V = 0.8V (Max.) @I = 5ACE(sat) CHigh Switching SpeedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for high current, high speed, high powerapplications.Absolute maximum ratings(Ta=25)SYMBOL PARAME

Otros transistores... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: BSS56 | BDX83C | 2SB1204

 

 
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