BUV51 Todos los transistores

 

BUV51 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BUV51
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 150 W
   Tensión colector-base (Vcb): 300 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 200 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 10 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Ganancia de corriente contínua (hfe): 10
   Paquete / Cubierta: TO3
 

 Búsqueda de reemplazo de BUV51

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

BUV51 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:205K  inchange semiconductor
 buv51.pdf pdf_icon

BUV51

isc Silicon NPN Power Transistor BUV51DESCRIPTIONHigh Current CapabilityLow Collector Saturation Voltage-: V = 0.8V (Max.) @I = 5ACE(sat) CHigh Switching SpeedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for high current, high speed, high powerapplications.Absolute maximum ratings(Ta=25)SYMBOL PARAME

Otros transistores... BUV48B , BUV48C , BUV48CFI , BUV48CI , BUV48FI , BUV48I , BUV48T , BUV50 , AC125 , BUV52 , BUV52A , BUV54 , BUV54A , BUV56 , BUV56A , BUV60 , BUV61 .

History: LRX102UT1G | MP1543 | 2SC2613K | 2SB1016O | ECG235 | KTB817B | 2SC3203

 

 
Back to Top

 


 
.