BUV51 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BUV51

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 150 W

Tensión colector-base (Vcb): 300 V

Tensión colector-emisor (Vce): 200 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 10 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Ganancia de corriente contínua (hFE): 10

Encapsulados: TO3

 Búsqueda de reemplazo de BUV51

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

BUV51 datasheet

 ..1. Size:205K  inchange semiconductor
 buv51.pdf pdf_icon

BUV51

isc Silicon NPN Power Transistor BUV51 DESCRIPTION High Current Capability Low Collector Saturation Voltage- V = 0.8V (Max.) @I = 5A CE(sat) C High Switching Speed Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for high current, high speed, high power applications. Absolute maximum ratings(Ta=25 ) SYMBOL PARAME

Otros transistores... BUV48B, BUV48C, BUV48CFI, BUV48CI, BUV48FI, BUV48I, BUV48T, BUV50, 2N5551, BUV52, BUV52A, BUV54, BUV54A, BUV56, BUV56A, BUV60, BUV61