Справочник транзисторов. BUV51

 

Биполярный транзистор BUV51 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BUV51
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 150 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 300 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 200 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10
   Корпус транзистора: TO3
 
   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BUV51 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:205K  inchange semiconductor
 buv51.pdf pdf_icon

BUV51

isc Silicon NPN Power Transistor BUV51DESCRIPTIONHigh Current CapabilityLow Collector Saturation Voltage-: V = 0.8V (Max.) @I = 5ACE(sat) CHigh Switching SpeedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for high current, high speed, high powerapplications.Absolute maximum ratings(Ta=25)SYMBOL PARAME

Другие транзисторы... BUV48B , BUV48C , BUV48CFI , BUV48CI , BUV48FI , BUV48I , BUV48T , BUV50 , AC125 , BUV52 , BUV52A , BUV54 , BUV54A , BUV56 , BUV56A , BUV60 , BUV61 .

 

 
Back to Top

 


 
.