BUV56 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BUV56

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 120 W

Tensión colector-base (Vcb): 850 V

Tensión colector-emisor (Vce): 400 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Ganancia de corriente contínua (hFE): 10

Encapsulados: TO220

 Búsqueda de reemplazo de BUV56

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

BUV56 datasheet

 ..1. Size:209K  inchange semiconductor
 buv56.pdf pdf_icon

BUV56

isc Silicon NPN Power Transistor BUV56 DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 450V(Min.) CEO(SUS) High Speed Switching Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for switch mode power supply, UPS, DC and AC motor control applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE U

Otros transistores... BUV48I, BUV48T, BUV50, BUV51, BUV52, BUV52A, BUV54, BUV54A, BC548, BUV56A, BUV60, BUV61, BUV62, BUV62A, BUV63, BUV66, BUV66A