BUV56. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BUV56

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 120 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 850 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10

Корпус транзистора: TO220

 Аналоги (замена) для BUV56

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BUV56 даташит

 ..1. Size:209K  inchange semiconductor
 buv56.pdf pdf_icon

BUV56

isc Silicon NPN Power Transistor BUV56 DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 450V(Min.) CEO(SUS) High Speed Switching Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for switch mode power supply, UPS, DC and AC motor control applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE U

Другие транзисторы: BUV48I, BUV48T, BUV50, BUV51, BUV52, BUV52A, BUV54, BUV54A, BC548, BUV56A, BUV60, BUV61, BUV62, BUV62A, BUV63, BUV66, BUV66A