BUV70 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BUV70

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 140 W

Tensión colector-base (Vcb): 1300 V

Tensión colector-emisor (Vce): 600 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 10 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 9 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 5

Encapsulados: TOP3

 Búsqueda de reemplazo de BUV70

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

BUV70 datasheet

 ..1. Size:218K  inchange semiconductor
 buv70.pdf pdf_icon

BUV70

isc Silicon NPN Power Transistor BUV70 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 600V (Min) (BR)CEO High Power Dissipation Fast Switching Speed Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for motor controls, switching mode power supplies applications. Absolute maximum ratings(Ta=25 ) SYMBOL PARAME

Otros transistores... BUV56A, BUV60, BUV61, BUV62, BUV62A, BUV63, BUV66, BUV66A, BD140, BUV70F, BUV71, BUV71F, BUV74, BUV74A, BUV82, BUV83, BUV89