BUV70 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: BUV70
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Disipación total del dispositivo (Pc): 140 W
   Tensión colector-base (Vcb): 1300 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 600 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 10 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Transición de frecuencia (ft): 9 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 5
   Paquete / Cubierta: TOP3

Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar BUV70

BUV70 Datasheet (PDF)

..1. Size:218K inchange semiconductor
buv70.pdf

isc Silicon NPN Power Transistor BUV70DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 600V (Min)(BR)CEOHigh Power DissipationFast Switching SpeedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for motor controls, switching mode powersupplies applications.Absolute maximum ratings(Ta=25)SYMBOL PARAME

Otros transistores... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , 2N3906 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .

History: KT3132D-2

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:

BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050