BUV70. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BUV70

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 140 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1300 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 9 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 5

Корпус транзистора: TOP3

 Аналоги (замена) для BUV70

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BUV70 даташит

 ..1. Size:218K  inchange semiconductor
 buv70.pdf pdf_icon

BUV70

isc Silicon NPN Power Transistor BUV70 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 600V (Min) (BR)CEO High Power Dissipation Fast Switching Speed Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for motor controls, switching mode power supplies applications. Absolute maximum ratings(Ta=25 ) SYMBOL PARAME

Другие транзисторы: BUV56A, BUV60, BUV61, BUV62, BUV62A, BUV63, BUV66, BUV66A, BD140, BUV70F, BUV71, BUV71F, BUV74, BUV74A, BUV82, BUV83, BUV89