BUV82 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BUV82

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 70 W

Tensión colector-base (Vcb): 850 V

Tensión colector-emisor (Vce): 400 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 6 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 3 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 35

Encapsulados: TOP3

 Búsqueda de reemplazo de BUV82

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

BUV82 datasheet

 ..1. Size:220K  inchange semiconductor
 buv82 buv83.pdf pdf_icon

BUV82

isc Silicon NPN Power Transistors BUV82/83 DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 400V(Min)-BUV82 CEO(SUS) = 450V(Min)-BUV83 High Switching Speed Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in converters, inverters, switching regula- tors, motor control systems and switching applications. A

 ..2. Size:102K  inchange semiconductor
 buv82 83.pdf pdf_icon

BUV82

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistors BUV82/83 DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- VCEO(SUS) = 400V(Min)-BUV82 = 450V(Min)-BUV83 High Switching Speed APPLICATIONS Designed for use in converters, inverters, switching regula- tors, motor control systems and switching applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=

Otros transistores... BUV66, BUV66A, BUV70, BUV70F, BUV71, BUV71F, BUV74, BUV74A, 2N3906, BUV83, BUV89, BUV90, BUV90A, BUV90F, BUV93, BUV94, BUV95