Биполярный транзистор BUV82 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BUV82
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 70 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 850 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 35
Корпус транзистора: TOP3
BUV82 Datasheet (PDF)
buv82 buv83.pdf
isc Silicon NPN Power Transistors BUV82/83DESCRIPTIONCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 400V(Min)-BUV82CEO(SUS)= 450V(Min)-BUV83High Switching SpeedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in converters, inverters, switching regula-tors, motor control systems and switching applications.A
buv82 83.pdf
INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistors BUV82/83 DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(SUS) = 400V(Min)-BUV82 = 450V(Min)-BUV83 High Switching Speed APPLICATIONS Designed for use in converters, inverters, switching regula- tors, motor control systems and switching applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=
Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , D209L , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050