BUV82. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BUV82

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 70 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 850 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 35

Корпус транзистора: TOP3

 Аналоги (замена) для BUV82

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BUV82 даташит

 ..1. Size:220K  inchange semiconductor
 buv82 buv83.pdf pdf_icon

BUV82

isc Silicon NPN Power Transistors BUV82/83 DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 400V(Min)-BUV82 CEO(SUS) = 450V(Min)-BUV83 High Switching Speed Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in converters, inverters, switching regula- tors, motor control systems and switching applications. A

 ..2. Size:102K  inchange semiconductor
 buv82 83.pdf pdf_icon

BUV82

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistors BUV82/83 DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- VCEO(SUS) = 400V(Min)-BUV82 = 450V(Min)-BUV83 High Switching Speed APPLICATIONS Designed for use in converters, inverters, switching regula- tors, motor control systems and switching applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=

Другие транзисторы: BUV66, BUV66A, BUV70, BUV70F, BUV71, BUV71F, BUV74, BUV74A, 2N3906, BUV83, BUV89, BUV90, BUV90A, BUV90F, BUV93, BUV94, BUV95