BUV89 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BUV89

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 125 W

Tensión colector-base (Vcb): 1200 V

Tensión colector-emisor (Vce): 800 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 8 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 3 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 2.5

Encapsulados: TOP3

 Búsqueda de reemplazo de BUV89

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

BUV89 datasheet

 ..1. Size:214K  inchange semiconductor
 buv89.pdf pdf_icon

BUV89

isc Silicon NPN Power Transistor BUV89 DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 800V(Min) CEO(SUS) High Switching Speed Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in AC motor control systems from three- phase mains. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Collect

Otros transistores... BUV70, BUV70F, BUV71, BUV71F, BUV74, BUV74A, BUV82, BUV83, TIP31C, BUV90, BUV90A, BUV90F, BUV93, BUV94, BUV95, BUV98, BUV98A