BUV89 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BUV89
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 125 W
Tensión colector-base (Vcb): 1200 V
Tensión colector-emisor (Vce): 800 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 8 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 3 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 2.5
Paquete / Cubierta: TOP3
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar BUV89
BUV89 Datasheet (PDF)
buv89.pdf
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isc Silicon NPN Power Transistor BUV89DESCRIPTIONCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 800V(Min)CEO(SUS)High Switching SpeedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in AC motor control systems from three-phase mains.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collect
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