BUV89. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BUV89

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 125 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1200 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 2.5

Корпус транзистора: TOP3

 Аналоги (замена) для BUV89

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BUV89 даташит

 ..1. Size:214K  inchange semiconductor
 buv89.pdf pdf_icon

BUV89

isc Silicon NPN Power Transistor BUV89 DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 800V(Min) CEO(SUS) High Switching Speed Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in AC motor control systems from three- phase mains. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Collect

Другие транзисторы: BUV70, BUV70F, BUV71, BUV71F, BUV74, BUV74A, BUV82, BUV83, TIP31C, BUV90, BUV90A, BUV90F, BUV93, BUV94, BUV95, BUV98, BUV98A