BUW14 Todos los transistores

 

BUW14 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BUW14
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 20 W
   Tensión colector-base (Vcb): 1000 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 450 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 20 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 25
   Paquete / Cubierta: TO126
 

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BUW14 Datasheet (PDF)

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BUW14

Philips Semiconductors Product specification Silicon Diffused Power Transistor BUW14 GENERAL DESCRIPTIONHigh-voltage, high-speed, glass passivated npn power transistor in a SOT82 envelope intended for use inconverters, inverters, switching regulators, motor control systems and switching applications.QUICK REFERENCE DATASYMBOL PARAMETER CONDITIONS TYP. MAX. UNITVCESM Collector-emit

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