BUW14 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BUW14

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 20 W

Tensión colector-base (Vcb): 1000 V

Tensión colector-emisor (Vce): 450 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 20 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 25

Encapsulados: TO126

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BUW14 datasheet

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BUW14

Philips Semiconductors Product specification Silicon Diffused Power Transistor BUW14 GENERAL DESCRIPTION High-voltage, high-speed, glass passivated npn power transistor in a SOT82 envelope intended for use in converters, inverters, switching regulators, motor control systems and switching applications. QUICK REFERENCE DATA SYMBOL PARAMETER CONDITIONS TYP. MAX. UNIT VCESM Collector-emit

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