BUW14. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BUW14

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1000 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 450 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 20 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 25

Корпус транзистора: TO126

 Аналоги (замена) для BUW14

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BUW14 даташит

 ..1. Size:63K  philips
 buw14 1.pdf pdf_icon

BUW14

Philips Semiconductors Product specification Silicon Diffused Power Transistor BUW14 GENERAL DESCRIPTION High-voltage, high-speed, glass passivated npn power transistor in a SOT82 envelope intended for use in converters, inverters, switching regulators, motor control systems and switching applications. QUICK REFERENCE DATA SYMBOL PARAMETER CONDITIONS TYP. MAX. UNIT VCESM Collector-emit

Другие транзисторы: BUW132A, BUW132H, BUW133, BUW133A, BUW133H, BUW13A, BUW13AF, BUW13F, 2SB817, BUW16, BUW17, BUW18, BUW22, BUW22A, BUW22AP, BUW22P, BUW23