BUW24 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BUW24

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 100 W

Tensión colector-base (Vcb): 450 V

Tensión colector-emisor (Vce): 350 V

Tensión emisor-base (Veb): 7 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 10 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 10 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 10

Encapsulados: TO3

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BUW24 datasheet

 ..1. Size:84K  jmnic
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BUW24

Product Specification www.jmnic.com Silicon Power Transistors BUW24 DESCRIPTION Short switching time High dielectric strength With TO-3 package APPLICATIONS Suitable for use in clocked voltatge converters PINNING (See Fig.2) PIN DESCRIPTION 1 Base 2 Emitter 3 Collector Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol MAXIMUN RATINGS SYMBOL PARAMETER CONDITIONS VAL

 ..2. Size:204K  inchange semiconductor
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BUW24

isc Silicon NPN Power Transistor BUW24 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 350V(Min.) (BR)CEO High Speed Switching Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in switching mode power supply. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Collector-Base Voltage 450 V C

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