BUW24. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BUW24

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 450 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 350 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 10 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для BUW24

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BUW24 даташит

 ..1. Size:84K  jmnic
 buw24.pdf pdf_icon

BUW24

Product Specification www.jmnic.com Silicon Power Transistors BUW24 DESCRIPTION Short switching time High dielectric strength With TO-3 package APPLICATIONS Suitable for use in clocked voltatge converters PINNING (See Fig.2) PIN DESCRIPTION 1 Base 2 Emitter 3 Collector Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol MAXIMUN RATINGS SYMBOL PARAMETER CONDITIONS VAL

 ..2. Size:204K  inchange semiconductor
 buw24.pdf pdf_icon

BUW24

isc Silicon NPN Power Transistor BUW24 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 350V(Min.) (BR)CEO High Speed Switching Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in switching mode power supply. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Collector-Base Voltage 450 V C

Другие транзисторы: BUW16, BUW17, BUW18, BUW22, BUW22A, BUW22AP, BUW22P, BUW23, NJW0281G, BUW25, BUW25-5, BUW26, BUW28, BUW29, BUW32, BUW32A, BUW32AP