BUW25 Todos los transistores

 

BUW25 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BUW25
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 125 W
   Tensión colector-base (Vcb): 600 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 400 V
   Tensión emisor-base (Veb): 8 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 10 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 10 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 15
   Paquete / Cubierta: TO3
 

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BUW25 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:205K  inchange semiconductor
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BUW25

isc Silicon NPN Power Transistor BUW25DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-:V = 400V(Min.)(BR)CEOHigh Speed Switching100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in switching mode power supply.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collec

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History: ISCP233N | 8550SS | 2SA1052D | 2SB449 | GN4L3Z | BFY12B | BD602

 

 
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