BUW25. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BUW25

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 125 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 600 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 8 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 10 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 15

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для BUW25

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BUW25 даташит

 ..1. Size:205K  inchange semiconductor
 buw25.pdf pdf_icon

BUW25

isc Silicon NPN Power Transistor BUW25 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 400V(Min.) (BR)CEO High Speed Switching 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in switching mode power supply. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Collec

Другие транзисторы: BUW17, BUW18, BUW22, BUW22A, BUW22AP, BUW22P, BUW23, BUW24, D965, BUW25-5, BUW26, BUW28, BUW29, BUW32, BUW32A, BUW32AP, BUW32APFI