BUW52I Todos los transistores

 

BUW52I . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BUW52I
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 90 W
   Tensión colector-base (Vcb): 350 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 250 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 20 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Ganancia de corriente contínua (hfe): 10
   Paquete / Cubierta: TOP3
 

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BUW52I Datasheet (PDF)

 9.1. Size:214K  inchange semiconductor
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BUW52I

isc Silicon NPN Power Transistor BUW52DESCRIPTIONHigh Current CapabilityFast Switching SpeedLow Saturation Voltage and High GainMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in general purpose power amplifierapplications.Absolute maximum ratings(Ta=25)SYMBOL PARAMETER VALUE UNITCollector-Emitter

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