BUW52I Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BUW52I

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 90 W

Tensión colector-base (Vcb): 350 V

Tensión colector-emisor (Vce): 250 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 20 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Ganancia de corriente contínua (hFE): 10

Encapsulados: TOP3

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BUW52I datasheet

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BUW52I

isc Silicon NPN Power Transistor BUW52 DESCRIPTION High Current Capability Fast Switching Speed Low Saturation Voltage and High Gain Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in general purpose power amplifier applications. Absolute maximum ratings(Ta=25 ) SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT Collector-Emitter

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