BUW52I Todos los transistores

 

BUW52I . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BUW52I
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 90 W
   Tensión colector-base (Vcb): 350 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 250 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 20 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Ganancia de corriente contínua (hfe): 10
   Paquete / Cubierta: TOP3
     - Selección de transistores por parámetros

 

BUW52I Datasheet (PDF)

 9.1. Size:214K  inchange semiconductor
 buw52.pdf pdf_icon

BUW52I

isc Silicon NPN Power Transistor BUW52DESCRIPTIONHigh Current CapabilityFast Switching SpeedLow Saturation Voltage and High GainMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in general purpose power amplifierapplications.Absolute maximum ratings(Ta=25)SYMBOL PARAMETER VALUE UNITCollector-Emitter

Otros transistores... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: 2SA1480E | 2SC2959 | MUN5116DW1T1G | 2N1196 | 2N4355 | 2SA909

 

 
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