BUW52I. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BUW52I

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 90 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 350 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 250 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 20 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10

Корпус транзистора: TOP3

 Аналоги (замена) для BUW52I

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BUW52I даташит

 9.1. Size:214K  inchange semiconductor
 buw52.pdf pdf_icon

BUW52I

isc Silicon NPN Power Transistor BUW52 DESCRIPTION High Current Capability Fast Switching Speed Low Saturation Voltage and High Gain Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in general purpose power amplifier applications. Absolute maximum ratings(Ta=25 ) SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT Collector-Emitter

Другие транзисторы: BUW44, BUW45, BUW46, BUW48, BUW49, BUW50, BUW51, BUW52, 2N5401, BUW57, BUW58, BUW60, BUW60I, BUW61, BUW61I, BUW62, BUW62I