BUW70 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BUW70

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 80 W

Tensión colector-base (Vcb): 150 V

Tensión colector-emisor (Vce): 100 V

Tensión emisor-base (Veb): 7 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 10 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Ganancia de corriente contínua (hFE): 40

Encapsulados: TO3

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BUW70 datasheet

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BUW70

isc Silicon NPN Power Transistor BUW70 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 100V(Min.) (BR)CEO Low Collector Saturation Voltage- V = 0.8V(Max.) @I = 4A CE(sat) C High Speed Switching Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in clocked voltage converters. Absolute maximum ratings(Ta

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