BUW70. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BUW70

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 150 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для BUW70

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BUW70 даташит

 ..1. Size:203K  inchange semiconductor
 buw70.pdf pdf_icon

BUW70

isc Silicon NPN Power Transistor BUW70 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 100V(Min.) (BR)CEO Low Collector Saturation Voltage- V = 0.8V(Max.) @I = 4A CE(sat) C High Speed Switching Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in clocked voltage converters. Absolute maximum ratings(Ta

Другие транзисторы: BUW61I, BUW62, BUW62I, BUW64A, BUW64B, BUW64C, BUW66, BUW67, BC557, BUW71, BUW72, BUW73, BUW74, BUW75, BUW76, BUW77, BUW81