BUW72 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BUW72
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 100 W
Tensión colector-base (Vcb): 450 V
Tensión colector-emisor (Vce): 400 V
Tensión emisor-base (Veb): 7 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 10 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Ganancia de corriente contínua (hFE): 15
Encapsulados: TO3
Búsqueda de reemplazo de BUW72
- Selecciónⓘ de transistores por parámetros
BUW72 datasheet
buw72.pdf
isc Silicon NPN Power Transistor BUW72 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 400V(Min.) (BR)CEO Low Collector Saturation Voltage- V = 0.8V(Max.) @I = 4A CE(sat) C High Speed Switching Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in clocked voltage converters. Absolute maximum ratings(Ta
Otros transistores... BUW62I, BUW64A, BUW64B, BUW64C, BUW66, BUW67, BUW70, BUW71, 13009, BUW73, BUW74, BUW75, BUW76, BUW77, BUW81, BUW81A, BUW84
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sd665 | 7506 mosfet datasheet | 2sb1186a | a1695 datasheet | 3415 transistor | 072ne6pt | 2sd388 | 2sc1400
