BUW72. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BUW72

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 450 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 15

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для BUW72

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BUW72 даташит

 ..1. Size:203K  inchange semiconductor
 buw72.pdf pdf_icon

BUW72

isc Silicon NPN Power Transistor BUW72 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 400V(Min.) (BR)CEO Low Collector Saturation Voltage- V = 0.8V(Max.) @I = 4A CE(sat) C High Speed Switching Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in clocked voltage converters. Absolute maximum ratings(Ta

Другие транзисторы: BUW62I, BUW64A, BUW64B, BUW64C, BUW66, BUW67, BUW70, BUW71, 13009, BUW73, BUW74, BUW75, BUW76, BUW77, BUW81, BUW81A, BUW84