BUW75 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BUW75

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 120 W

Tensión colector-base (Vcb): 600 V

Tensión colector-emisor (Vce): 300 V

Tensión emisor-base (Veb): 7 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 12 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 8 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 10

Encapsulados: TO3

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BUW75 datasheet

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BUW75

isc Silicon NPN Power Transistor BUW75 DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 300V(Min.) CEO(SUS) High Speed Switching Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Intended in fast switching applications for high output powers. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Collector-Emi

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