BUW75. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BUW75

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 120 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 600 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 12 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 8 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для BUW75

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BUW75 даташит

 ..1. Size:203K  inchange semiconductor
 buw75.pdf pdf_icon

BUW75

isc Silicon NPN Power Transistor BUW75 DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 300V(Min.) CEO(SUS) High Speed Switching Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Intended in fast switching applications for high output powers. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Collector-Emi

Другие транзисторы: BUW64C, BUW66, BUW67, BUW70, BUW71, BUW72, BUW73, BUW74, TIP31C, BUW76, BUW77, BUW81, BUW81A, BUW84, BUW85, BUW86, BUW87