BUW84 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BUW84

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 50 W

Tensión colector-base (Vcb): 800 V

Tensión colector-emisor (Vce): 400 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 2 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 10 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 50

Encapsulados: TO126

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BUW84 datasheet

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BUW84

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BUW84; BUW85 Silicon diffused power transistors 1997 Aug 14 Product specification Supersedes data of February 1996 File under Discrete Semiconductors, SC06 Philips Semiconductors Product specification Silicon diffused power transistors BUW84; BUW85 DESCRIPTION PINNING High-voltage, high-speed, PIN DESCRIPTION glass-passivated NPN power 1 base t

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