BUW84. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BUW84

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 800 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 10 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 50

Корпус транзистора: TO126

 Аналоги (замена) для BUW84

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BUW84 даташит

 ..1. Size:76K  philips
 buw84 1.pdf pdf_icon

BUW84

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BUW84; BUW85 Silicon diffused power transistors 1997 Aug 14 Product specification Supersedes data of February 1996 File under Discrete Semiconductors, SC06 Philips Semiconductors Product specification Silicon diffused power transistors BUW84; BUW85 DESCRIPTION PINNING High-voltage, high-speed, PIN DESCRIPTION glass-passivated NPN power 1 base t

Другие транзисторы: BUW72, BUW73, BUW74, BUW75, BUW76, BUW77, BUW81, BUW81A, 2SC2073, BUW85, BUW86, BUW87, BUW87A, BUW88, BUW89, BUW91, BUW92