BUX25-TO258 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BUX25-TO258
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 150 W
Tensión colector-base (Vcb): 500 V
Tensión colector-emisor (Vce): 500 V
Tensión emisor-base (Veb): 7 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 15 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 8 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 15
Paquete / Cubierta: TO258
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar BUX25-TO258
BUX25-TO258 Datasheet (PDF)
bux25s.pdf
BUX25SDimensions in mm (inches). Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 25.15 (0.99)6.35 (0.25)26.67 (1.05) 9.15 (0.36)Metal Package. 10.67 (0.42)11.18 (0.44) 1.52 (0.06)3.43 (0.135)1 23(case)3.84 (0.151)4.09 (0.161) 7.92 (0.312)12.70 (0.50)TO3 (TO204AE) PINOUTS 1 Base 2 Emitter Case - Collector Parameter Test Conditions Min. Typ. Max
bux25.pdf
isc Silicon NPN Power Transistor BUX25DESCRIPTIONLow Collector Saturation Voltage-High Switching SpeedHigh Current Current CapabilityMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesinged for use in switching and linear applications inmilitary and industrial equipment.Absolute maximum ratings(Ta=25)SYMBOL PARAMETE
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