BUX25-TO258 Todos los transistores

 

BUX25-TO258 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BUX25-TO258
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 150 W
   Tensión colector-base (Vcb): 500 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 500 V
   Tensión emisor-base (Veb): 7 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 15 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 8 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 15
   Paquete / Cubierta: TO258
 

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BUX25-TO258 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:10K  semelab
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BUX25-TO258

BUX25SDimensions in mm (inches). Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 25.15 (0.99)6.35 (0.25)26.67 (1.05) 9.15 (0.36)Metal Package. 10.67 (0.42)11.18 (0.44) 1.52 (0.06)3.43 (0.135)1 23(case)3.84 (0.151)4.09 (0.161) 7.92 (0.312)12.70 (0.50)TO3 (TO204AE) PINOUTS 1 Base 2 Emitter Case - Collector Parameter Test Conditions Min. Typ. Max

 9.2. Size:208K  inchange semiconductor
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BUX25-TO258

isc Silicon NPN Power Transistor BUX25DESCRIPTIONLow Collector Saturation Voltage-High Switching SpeedHigh Current Current CapabilityMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesinged for use in switching and linear applications inmilitary and industrial equipment.Absolute maximum ratings(Ta=25)SYMBOL PARAMETE

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