BUX25-TO258. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BUX25-TO258

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 150 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 500 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 500 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 8 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 15

Корпус транзистора: TO258

 Аналоги (замена) для BUX25-TO258

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BUX25-TO258 даташит

 9.1. Size:10K  semelab
 bux25s.pdf pdf_icon

BUX25-TO258

BUX25S Dimensions in mm (inches). Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 25.15 (0.99) 6.35 (0.25) 26.67 (1.05) 9.15 (0.36) Metal Package. 10.67 (0.42) 11.18 (0.44) 1.52 (0.06) 3.43 (0.135) 1 2 3 (case) 3.84 (0.151) 4.09 (0.161) 7.92 (0.312) 12.70 (0.50) TO3 (TO204AE) PINOUTS 1 Base 2 Emitter Case - Collector Parameter Test Conditions Min. Typ. Max

 9.2. Size:208K  inchange semiconductor
 bux25.pdf pdf_icon

BUX25-TO258

isc Silicon NPN Power Transistor BUX25 DESCRIPTION Low Collector Saturation Voltage- High Switching Speed High Current Current Capability Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Desinged for use in switching and linear applications in military and industrial equipment. Absolute maximum ratings(Ta=25 ) SYMBOL PARAMETE

Другие транзисторы: BUX18C, BUX20, BUX20A, BUX21, BUX22, BUX23, BUX24, BUX25, BC547B, BUX26, BUX27, BUX28, BUX28V, BUX29, BUX30, BUX30AVA, BUX30AVB