BUX45 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BUX45
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 120 W
Tensión colector-base (Vcb): 500 V
Tensión colector-emisor (Vce): 500 V
Tensión emisor-base (Veb): 7 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 5 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 8 MHz
Ganancia de corriente contínua (hFE): 15
Encapsulados: TO3
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BUX45 datasheet
bux45.pdf
isc Silicon NPN Power Transistor BUX45 DESCRIPTION Low Collector Saturation Voltage- V = 1.0V(Max.) @ I = 1A CE(sat) C High Switching Speed Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for high speed, high voltage, high power applications. Absolute maximum ratings(Ta=25 ) SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Collector
bux45x.pdf
SILICON NPN POWER SWITCHING TRANSISTOR BUX45X High Voltage, High Power, Fast Switching. Hermetic Metal TO3 Package. Ideally suited for Motor Control and Power Switching Circuits Screening Options Available ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C unless otherwise stated) VCBO Collector Base Voltage 500V VCEX Collector Emitter Voltage VBE = -1.5V 500V
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History: 2N282 | BU705
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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