BUX45 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BUX45
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 120 W
Tensión colector-base (Vcb): 500 V
Tensión colector-emisor (Vce): 500 V
Tensión emisor-base (Veb): 7 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 5 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 8 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 15
Paquete / Cubierta: TO3
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BUX45 Datasheet (PDF)
bux45.pdf

isc Silicon NPN Power Transistor BUX45DESCRIPTIONLow Collector Saturation Voltage-: V = 1.0V(Max.) @ I = 1ACE(sat) CHigh Switching SpeedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for high speed, high voltage, high powerapplications.Absolute maximum ratings(Ta=25)SYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector
bux45x.pdf

SILICON NPN POWER SWITCHING TRANSISTOR BUX45X High Voltage, High Power, Fast Switching. Hermetic Metal TO3 Package. Ideally suited for Motor Control and Power Switching Circuits Screening Options Available ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25C unless otherwise stated)VCBO Collector Base Voltage 500V VCEX Collector Emitter Voltage VBE = -1.5V500V
Otros transistores... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , TIP42C , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .
History: 2N5319 | KSC3502 | DRA9123Y
History: 2N5319 | KSC3502 | DRA9123Y



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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