BUX45. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: BUX45
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 120 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 500 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 500 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 8 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 15
Корпус транзистора: TO3
Аналоги (замена) для BUX45
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
BUX45 даташит
bux45.pdf
isc Silicon NPN Power Transistor BUX45 DESCRIPTION Low Collector Saturation Voltage- V = 1.0V(Max.) @ I = 1A CE(sat) C High Switching Speed Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for high speed, high voltage, high power applications. Absolute maximum ratings(Ta=25 ) SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Collector
bux45x.pdf
SILICON NPN POWER SWITCHING TRANSISTOR BUX45X High Voltage, High Power, Fast Switching. Hermetic Metal TO3 Package. Ideally suited for Motor Control and Power Switching Circuits Screening Options Available ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C unless otherwise stated) VCBO Collector Base Voltage 500V VCEX Collector Emitter Voltage VBE = -1.5V 500V
Другие транзисторы: BUX41, BUX41A, BUX41B, BUX41N, BUX42, BUX42A, BUX43, BUX44, D882, BUX46, BUX46A, BUX46B, BUX47, BUX47A, BUX47B, BUX48, BUX48A
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
7408 mosfet | cs630 | 2sc2705 transistor | 647 transistor | d525 transistor | 2sc1583 | g60t60an3h | mosfet k8a50d

