BUX67D Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BUX67D

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 35 W

Tensión colector-base (Vcb): 400 V

Tensión colector-emisor (Vce): 350 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 2 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 15 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 10

Encapsulados: TO66

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BUX67D datasheet

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BUX67D

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistors BUX67/A/B/C DESCRIPTION Contunuous Collector Current-IC= 2A Power Dissipation-PD=35W @TC= 25 Collector-Emitter Saturation Voltage- VCE(sat)= 2.5V(Max)@ IC = 1A APPLICATIONS Designed for high-speed switching and linear amplifier appli- cation for high-voltage operational amplifiers, s

 9.2. Size:207K  inchange semiconductor
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BUX67D

isc Silicon NPN Power Transistors BUX67/A/B/C DESCRIPTION Contunuous Collector Current-I = 2A C Power Dissipation-P =35W @T = 25 D C Collector-Emitter Saturation Voltage- V )= 2.5V(Max)@ I = 1A CE(sat C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for high-speed switching and linear amplifier appli- cation f

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