Справочник транзисторов. BUX67D

 

Биполярный транзистор BUX67D Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BUX67D
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 35 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 400 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 350 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 15 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10
   Корпус транзистора: TO66
 

 Аналог (замена) для BUX67D

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BUX67D Datasheet (PDF)

 9.1. Size:158K  inchange semiconductor
 bux67 a b c.pdf pdf_icon

BUX67D

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistors BUX67/A/B/C DESCRIPTION Contunuous Collector Current-IC= 2A Power Dissipation-PD=35W @TC= 25 Collector-Emitter Saturation Voltage- : VCE(sat)= 2.5V(Max)@ IC = 1A APPLICATIONSDesigned for high-speed switching and linear amplifier appli- cation for high-voltage operational amplifiers, s

 9.2. Size:207K  inchange semiconductor
 bux67 bux67a bux67b bux67c.pdf pdf_icon

BUX67D

isc Silicon NPN Power Transistors BUX67/A/B/CDESCRIPTIONContunuous Collector Current-I = 2ACPower Dissipation-P =35W @T = 25D CCollector-Emitter Saturation Voltage-: V )= 2.5V(Max)@ I = 1ACE(sat CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for high-speed switching and linear amplifier appli-cation f

Другие транзисторы... BUX66 , BUX66A , BUX66B , BUX66C , BUX67 , BUX67A , BUX67B , BUX67C , 2SB817 , BUX69 , BUX70 , BUX71 , BUX72 , BUX73 , BUX74 , BUX75 , BUX76 .

History: BD363B | MP2526

 

 
Back to Top

 


 
.