BUX81-9 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BUX81-9

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 100 W

Tensión colector-base (Vcb): 900 V

Tensión colector-emisor (Vce): 400 V

Tensión emisor-base (Veb): 10 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 15 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 3 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 15

Encapsulados: TO3

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BUX81-9 datasheet

 9.1. Size:203K  inchange semiconductor
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BUX81-9

isc Silicon NPN Power Transistors BUX81 DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 450V(Min) CEO(SUS) High Switching Speed Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for switching-mode power supplies, CRT scanning, Inverters, and other industrial applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYM

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