BUX81-9. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BUX81-9

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 900 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 15

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для BUX81-9

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BUX81-9 даташит

 9.1. Size:203K  inchange semiconductor
 bux81.pdf pdf_icon

BUX81-9

isc Silicon NPN Power Transistors BUX81 DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 450V(Min) CEO(SUS) High Switching Speed Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for switching-mode power supplies, CRT scanning, Inverters, and other industrial applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYM

Другие транзисторы: BUX78, BUX78SM, BUX80, BUX80-4, BUX80-5, BUX80-6, BUX80-7, BUX81, 2N2907, BUX82, BUX82-4, BUX82-5, BUX82-6, BUX82-7, BUX83, BUX83-9, BUX84