BUX86P Todos los transistores

 

BUX86P Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BUX86P
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 42 W
   Tensión colector-base (Vcb): 800 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 400 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 10 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 26
   Paquete / Cubierta: TO126
 

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BUX86P PDF detailed specifications

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BUX86P

Philips Semiconductors Product specification Silicon Diffused Power Transistor BUX86P BUX87P GENERAL DESCRIPTION High voltage, high speed glass passivated npn power transistors in a SOT82 envelope intended for use in converters, inverters, switching regulators, motor control systems and switching applications. QUICK REFERENCE DATA SYMBOL PARAMETER CONDITIONS TYP. MAX. UNIT BUX 86P 87... See More ⇒

 9.1. Size:107K  siemens
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BUX86P

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