BUY12T Todos los transistores

 

BUY12T . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BUY12T
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 85 W
   Tensión colector-base (Vcb): 200 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 90 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 10 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 5 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 10
   Paquete / Cubierta: TO3
 

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BUY12T Datasheet (PDF)

 9.1. Size:201K  inchange semiconductor
 buy12.pdf pdf_icon

BUY12T

isc Silicon NPN Power Transistor BUY12DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-:V = 80V(Min.)(BR)CEOHigh Speed SwitchingMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in switching mode power supply.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector-Base Voltage 210 VCB

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