BUY12T Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BUY12T

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 85 W

Tensión colector-base (Vcb): 200 V

Tensión colector-emisor (Vce): 90 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 10 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 5 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 10

Encapsulados: TO3

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BUY12T datasheet

 9.1. Size:201K  inchange semiconductor
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BUY12T

isc Silicon NPN Power Transistor BUY12 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 80V(Min.) (BR)CEO High Speed Switching Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in switching mode power supply. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Collector-Base Voltage 210 V CB

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