BUY12T. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BUY12T

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 85 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 200 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 90 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для BUY12T

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BUY12T даташит

 9.1. Size:201K  inchange semiconductor
 buy12.pdf pdf_icon

BUY12T

isc Silicon NPN Power Transistor BUY12 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 80V(Min.) (BR)CEO High Speed Switching Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in switching mode power supply. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Collector-Base Voltage 210 V CB

Другие транзисторы: BUX98P, BUX98PI, BUXD87-1, BUXD87T4, BUY10, BUY11, BUY12, BUY12S, 2SD1047, BUY13, BUY13S, BUY14, BUY16, BUY17, BUY18, BUY18S, BUY19