BUY58 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BUY58

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 100 W

Tensión colector-base (Vcb): 200 V

Tensión colector-emisor (Vce): 160 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 15 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 25 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 10

Encapsulados: TO3

 Búsqueda de reemplazo de BUY58

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

BUY58 datasheet

 ..1. Size:202K  inchange semiconductor
 buy58.pdf pdf_icon

BUY58

isc Silicon NPN Power Transistor BUY58 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 160V(Min.) (BR)CEO Low Collector Saturation Voltage- V = 1.3V@ I = 10A CE(sat) C APPLICATIONS Designed for general switching applications at higher outputs. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER MAX UNIT V Collector-Base Voltage 250 V CBO V Collector-Emitter Vo

Otros transistores... BUY55-10, BUY55-4, BUY55-6, BUY56, BUY56-10, BUY56-4, BUY56-6, BUY57, TIP41C, BUY59, BUY60, BUY61, BUY62, BUY63, BUY64, BUY65, BUY66