BUY58. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BUY58

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 200 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 25 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для BUY58

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BUY58 даташит

 ..1. Size:202K  inchange semiconductor
 buy58.pdf pdf_icon

BUY58

isc Silicon NPN Power Transistor BUY58 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 160V(Min.) (BR)CEO Low Collector Saturation Voltage- V = 1.3V@ I = 10A CE(sat) C APPLICATIONS Designed for general switching applications at higher outputs. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER MAX UNIT V Collector-Base Voltage 250 V CBO V Collector-Emitter Vo

Другие транзисторы: BUY55-10, BUY55-4, BUY55-6, BUY56, BUY56-10, BUY56-4, BUY56-6, BUY57, TIP41C, BUY59, BUY60, BUY61, BUY62, BUY63, BUY64, BUY65, BUY66