C169 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: C169
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.625 W
Tensión colector-emisor (Vce): 9 V
Tensión emisor-base (Veb): 1 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 100 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 40 pF
Ganancia de corriente contínua (hFE): 180
Encapsulados: TO92
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C169 datasheet
bc167ab bc168abc bc169.pdf
Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS BC167A, BC167B BC168A, BC168B, BC168C BC169B, BC169C TO-92 Plastic Package AF Pre and Driver Stages as well as for Universal Application. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25 C unless specified otherwise) DESCRIPTION SYMBOL BC167 BC168 BC169 UNITS VCEO Collec
bc107 bc108 bc109 bc167 bc168 bc169 bc237 bc238 bc239 bc317 bc318 bc319.pdf
Otros transistores... C12-28 , C1-28 , C150 , C155 , C155P , C166 , C166P , C168 , 2N2907 , C2 , C25-12 , C25-28 , C266 , C266P , C2-8 , C2-8Z , C3-12 .
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BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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