Справочник транзисторов. C169

 

Биполярный транзистор C169 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: C169
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 9 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 1 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 40 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 180
   Корпус транзистора: TO92
 

 Аналог (замена) для C169

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

C169 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:151K  cdil
 bc167ab bc168abc bc169.pdf pdf_icon

C169

Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyNPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS BC167A, BC167BBC168A, BC168B, BC168CBC169B, BC169CTO-92Plastic PackageAF Pre and Driver Stages as well as for Universal Application.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25C unless specified otherwise)DESCRIPTION SYMBOL BC167 BC168 BC169 UNITSVCEOCollec

 0.2. Size:228K  microelectronics
 bc107 bc108 bc109 bc167 bc168 bc169 bc237 bc238 bc239 bc317 bc318 bc319.pdf pdf_icon

C169

Другие транзисторы... C12-28 , C1-28 , C150 , C155 , C155P , C166 , C166P , C168 , 2SC2482 , C2 , C25-12 , C25-28 , C266 , C266P , C2-8 , C2-8Z , C3-12 .

History: BC859CR | PN1893

 

 
Back to Top

 


 
.