C169 - описание и поиск аналогов

 

C169. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: C169

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 9 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 1 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 40 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 180

Корпус транзистора: TO92

 Аналоги (замена) для C169

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

C169 даташит

 0.1. Size:151K  cdil
 bc167ab bc168abc bc169.pdf pdf_icon

C169

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS BC167A, BC167B BC168A, BC168B, BC168C BC169B, BC169C TO-92 Plastic Package AF Pre and Driver Stages as well as for Universal Application. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25 C unless specified otherwise) DESCRIPTION SYMBOL BC167 BC168 BC169 UNITS VCEO Collec

 0.2. Size:228K  microelectronics
 bc107 bc108 bc109 bc167 bc168 bc169 bc237 bc238 bc239 bc317 bc318 bc319.pdf pdf_icon

C169

Другие транзисторы: C12-28, C1-28, C150, C155, C155P, C166, C166P, C168, 2N2907, C2, C25-12, C25-28, C266, C266P, C2-8, C2-8Z, C3-12

 

 

 

 

↑ Back to Top
.