Справочник транзисторов. C169

 

Биполярный транзистор C169 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: C169
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 9 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 1 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 40 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 180
   Корпус транзистора: TO92

 Аналоги (замена) для C169

 

 

C169 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:151K  cdil
bc167ab bc168abc bc169.pdf

C169
C169

Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyNPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS BC167A, BC167BBC168A, BC168B, BC168CBC169B, BC169CTO-92Plastic PackageAF Pre and Driver Stages as well as for Universal Application.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25C unless specified otherwise)DESCRIPTION SYMBOL BC167 BC168 BC169 UNITSVCEOCollec

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

 

 
Back to Top