CBCP69 Todos los transistores

 

CBCP69 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CBCP69
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 2 W
   Tensión colector-base (Vcb): 25 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 20 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 65 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 85
   Paquete / Cubierta: SOT223
 

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CBCP69 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:363K  central
 cbcp68 cbcp69.pdf pdf_icon

CBCP69

CBCP68 NPNCBCP69 PNPwww.centralsemi.comSURFACE MOUNTCOMPLEMENTARYDESCRIPTION:SMALL SIGNAL SILICONThe CENTRAL SEMICONDUCTOR CBCP68 and TRANSISTORSCBCP69 types are complementary silicon transistors manufactured by the epitaxial planar process, epoxy molded in a surface mount package, designed for applications requiring high current capability.MARKING: FULL PART NUMBERS

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