CBCP69 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CBCP69  📄📄 

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 2 W

Tensión colector-base (Vcb): 25 V

Tensión colector-emisor (Vce): 20 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 65 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 85

Encapsulados: SOT223

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CBCP69 datasheet

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CBCP69

CBCP68 NPN CBCP69 PNP www.centralsemi.com SURFACE MOUNT COMPLEMENTARY DESCRIPTION SMALL SIGNAL SILICON The CENTRAL SEMICONDUCTOR CBCP68 and TRANSISTORS CBCP69 types are complementary silicon transistors manufactured by the epitaxial planar process, epoxy molded in a surface mount package, designed for applications requiring high current capability. MARKING FULL PART NUMBER S

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