CBCP69 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: CBCP69  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 25 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 65 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 85

Корпус транзистора: SOT223

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для CBCP69

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

CBCP69 даташит

 ..1. Size:363K  central
 cbcp68 cbcp69.pdf pdf_icon

CBCP69

CBCP68 NPN CBCP69 PNP www.centralsemi.com SURFACE MOUNT COMPLEMENTARY DESCRIPTION SMALL SIGNAL SILICON The CENTRAL SEMICONDUCTOR CBCP68 and TRANSISTORS CBCP69 types are complementary silicon transistors manufactured by the epitaxial planar process, epoxy molded in a surface mount package, designed for applications requiring high current capability. MARKING FULL PART NUMBER S

Другие транзисторы: CA3082F, CA3082M, CA3250E, CA3250F, CA3251E, CA3251F, CB1F4, CBCP68, 2N2907, CBCX68, CBCX69, CBSL30, CC6168F, CC6168G, CC6225, CC6225F, CC62266