CD15000E Todos los transistores

 

CD15000E . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CD15000E
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.3 W
   Tensión colector-base (Vcb): 30 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 20 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.03 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 130 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 1 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 60
   Paquete / Cubierta: TO39
 

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CD15000E Datasheet (PDF)

 9.1. Size:26K  shaanxi
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CD15000E

Shaanxi Qunli Electric Co., Ltd Add.:No. 1 Qunli Road,Baoji City,Shaanxi,China 3CD150PNP Silicon Low Frequency High Power Transistor Features: 1. Heavy output current.Small saturation voltage drop. Good temperature stability. 2. Implementation of standards: GJB33 A-97, QZJ840611A, QZJ840611. 3. Use for power amplify, Low-speed switch, power adjustment. 4. Quality Class: JP, JT, JC

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History: ECG294

 

 
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