CD15000E . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CD15000E
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.3 W
Tensión colector-base (Vcb): 30 V
Tensión colector-emisor (Vce): 20 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.03 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 130 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 1 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 60
Paquete / Cubierta: TO39
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar CD15000E
CD15000E Datasheet (PDF)
3cd150.pdf
Shaanxi Qunli Electric Co., Ltd Add.:No. 1 Qunli Road,Baoji City,Shaanxi,China 3CD150PNP Silicon Low Frequency High Power Transistor Features: 1. Heavy output current.Small saturation voltage drop. Good temperature stability. 2. Implementation of standards: GJB33 A-97, QZJ840611A, QZJ840611. 3. Use for power amplify, Low-speed switch, power adjustment. 4. Quality Class: JP, JT, JC
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