CD15000E datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: CD15000E  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.03 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 130 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 60

Корпус транзистора: TO39

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для CD15000E

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

CD15000E даташит

 9.1. Size:26K  shaanxi
 3cd150.pdf pdf_icon

CD15000E

Shaanxi Qunli Electric Co., Ltd Add. No. 1 Qunli Road,Baoji City,Shaanxi,China 3CD150 PNP Silicon Low Frequency High Power Transistor Features 1. Heavy output current.Small saturation voltage drop. Good temperature stability. 2. Implementation of standards GJB33 A-97, QZJ840611A, QZJ840611. 3. Use for power amplify, Low-speed switch, power adjustment. 4. Quality Class JP, JT, JC

Другие транзисторы: CCS2008GF, CCS2053, CCS2053EFG, CD0014N, CD0014NA, CD0014NG, CD15000C, CD15000D, C5198, CD1602, CD1802, CD1803, CD1899, CD1979, CD1984, CD1985, CD2035