Справочник транзисторов. CD15000E

 

Биполярный транзистор CD15000E Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: CD15000E
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.03 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 130 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60
   Корпус транзистора: TO39
 

 Аналог (замена) для CD15000E

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

CD15000E Datasheet (PDF)

 9.1. Size:26K  shaanxi
 3cd150.pdf pdf_icon

CD15000E

Shaanxi Qunli Electric Co., Ltd Add.:No. 1 Qunli Road,Baoji City,Shaanxi,China 3CD150PNP Silicon Low Frequency High Power Transistor Features: 1. Heavy output current.Small saturation voltage drop. Good temperature stability. 2. Implementation of standards: GJB33 A-97, QZJ840611A, QZJ840611. 3. Use for power amplify, Low-speed switch, power adjustment. 4. Quality Class: JP, JT, JC

Другие транзисторы... CCS2008GF , CCS2053 , CCS2053EFG , CD0014N , CD0014NA , CD0014NG , CD15000C , CD15000D , 13007 , CD1602 , CD1802 , CD1803 , CD1899 , CD1979 , CD1984 , CD1985 , CD2035 .

History: PN5131 | C1815T | 2SC4297

 

 
Back to Top

 


 
.