CDQ10032 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CDQ10032
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.385 W
Tensión colector-base (Vcb): 30 V
Tensión colector-emisor (Vce): 30 V
Tensión emisor-base (Veb): 20 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.05 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 0.5 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 20 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 25
Paquete / Cubierta: TO5
CDQ10032 Datasheet (PDF)
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Otros transistores... CDQ10020 , CDQ10021 , CDQ10022 , CDQ10023 , CDQ10024 , CDQ10025 , CDQ10026 , CDQ10027 , C945 , CDQ10033 , CDQ10034 , CDQ10035 , CDQ10036 , CDQ10037 , CDQ10044 , CDQ10045 , CDQ10046 .
History: TS13003CT | 2SA2029 | PVR100AZ-B3V0 | 2N823 | TD13005DSMD | 2SD798
History: TS13003CT | 2SA2029 | PVR100AZ-B3V0 | 2N823 | TD13005DSMD | 2SD798



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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