CDQ10032 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: CDQ10032  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.385 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 20 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 0.5 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 20 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 25

Корпус транзистора: TO5

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для CDQ10032

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

CDQ10032 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: CDQ10020, CDQ10021, CDQ10022, CDQ10023, CDQ10024, CDQ10025, CDQ10026, CDQ10027, TIP41C, CDQ10033, CDQ10034, CDQ10035, CDQ10036, CDQ10037, CDQ10044, CDQ10045, CDQ10046