CI1 Todos los transistores

 

CI1 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CI1
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.3 W
   Tensión colector-emisor (Vce): 40 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.05 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 3 MHz
   Paquete / Cubierta: TO72
 

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CI1 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:899K  fairchild semi
 fci11n60.pdf pdf_icon

CI1

December 2008 TMSuperFETFCI11N60 600V N-Channel MOSFETFeatures Description 650V @TJ = 150C SuperFETTM is, Fairchilds proprietary, new generation of highvoltage MOSFET family that is utilizing an advanced charge Typ. RDS(on) = 0.32balance mechanism for outstanding low on-resistance and Ultra Low Gate Charge (typ. Qg = 40nC) lower gate charge performance.

 0.2. Size:476K  citcorp
 ci15t60.pdf pdf_icon

CI1

CI15T6015A600V Field Stop Trench IGBT Features Outline Positive temperature Co-efficient for easy parallel operation. TO-220AB Short collector time-5us. High current capability.0.420(10.66)0.197(5.0)MAX High input impedance.0.386(9.80)0.055(1.40) Low saturation voltage : VCE(sat) = 1.65@25OC.0.043(1.10) Fast switching : 20KHz ~ 40KHz(Ta = 25OC)

Otros transistores... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , 2SC4793 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .

 

 
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