Справочник транзисторов. CI1

 

Биполярный транзистор CI1 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: CI1
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz
   Корпус транзистора: TO72
 

 Аналог (замена) для CI1

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

CI1 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:899K  fairchild semi
fci11n60.pdfpdf_icon

CI1

December 2008 TMSuperFETFCI11N60 600V N-Channel MOSFETFeatures Description 650V @TJ = 150C SuperFETTM is, Fairchilds proprietary, new generation of highvoltage MOSFET family that is utilizing an advanced charge Typ. RDS(on) = 0.32balance mechanism for outstanding low on-resistance and Ultra Low Gate Charge (typ. Qg = 40nC) lower gate charge performance.

 0.2. Size:476K  citcorp
ci15t60.pdfpdf_icon

CI1

CI15T6015A600V Field Stop Trench IGBT Features Outline Positive temperature Co-efficient for easy parallel operation. TO-220AB Short collector time-5us. High current capability.0.420(10.66)0.197(5.0)MAX High input impedance.0.386(9.80)0.055(1.40) Low saturation voltage : VCE(sat) = 1.65@25OC.0.043(1.10) Fast switching : 20KHz ~ 40KHz(Ta = 25OC)

Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , 2SC4793 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .

 

 
Back to Top

 


 
.