Биполярный транзистор CI1 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: CI1
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz
Корпус транзистора: TO72
CI1 Datasheet (PDF)
fci11n60.pdf
December 2008 TMSuperFETFCI11N60 600V N-Channel MOSFETFeatures Description 650V @TJ = 150C SuperFETTM is, Fairchilds proprietary, new generation of highvoltage MOSFET family that is utilizing an advanced charge Typ. RDS(on) = 0.32balance mechanism for outstanding low on-resistance and Ultra Low Gate Charge (typ. Qg = 40nC) lower gate charge performance.
ci15t60.pdf
CI15T6015A600V Field Stop Trench IGBT Features Outline Positive temperature Co-efficient for easy parallel operation. TO-220AB Short collector time-5us. High current capability.0.420(10.66)0.197(5.0)MAX High input impedance.0.386(9.80)0.055(1.40) Low saturation voltage : VCE(sat) = 1.65@25OC.0.043(1.10) Fast switching : 20KHz ~ 40KHz(Ta = 25OC)
Другие транзисторы... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , BC557 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050